**三星、SK海力士、美光被起诉操纵DRAM价格，制造“内存末日”**，三家全球知名存储芯片制造商——三星、SK海力士和美光被美国加利福尼亚联邦法院起诉，控告其在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场上勾结，操纵价格，导致传统内存供应短缺，被称为“内存末日”。，起诉指控这三家公司利用其在全球DRAM市场的主导地位，以转型为HBM（高频带宽内存）为名，协同削减传统DRAM（如DDR3和DDR4）的产量，HBM的物理尺寸远大于传统DDR芯片，单颗HBM3E芯片的面积约为DDR芯片的两倍，这意味着生产HBM需要消耗更多资源，而传统DRAM的产能却未能跟上需求，导致市场供应紧张。，根据诉讼，HBM需求正以每年70%的速度增长，到2026年，HBM将占全球DRAM晶圆产能的25%，尽管全球DRAM晶圆总产能预计增长14%，但仅传统DRAM的产能增长仅为10%，形成显著剪刀差，这种产能分配不均直接导致了消费级内存的供应缺口，推高了价格。，更令人担忧的是，三家公司之前也曾因DRAM价格操纵被起诉，2005年，三星和SK海力士分别被美国司法部以3亿美元和1.85亿美元的刑事罚款认罪，这是美国反垄断史上第二和第三大罚款案，此次诉讼指控他们将同样的操纵手法用“HBM转型”作为新包装，继续操纵市场。，苹果近期全面上调iPad和Mac的售价，正是内存价格上涨的直接后果，价格传导效应让消费者承受了沉重的经济负担，同时也暴露了市场操纵的严重后果。，这场诉讼不仅揭露了三家公司的不法行为，也引发了对存储市场未来格局的深思，HBM对传统DRAM的吞噬可能会持续，三家公司在HBM领域的寡头地位让其有能力继续主导产能分配节奏，这场诉讼或将对存储行业的供需平衡产生深远影响，如何平衡HBM与传统DRAM的发展，决定了市场未来走向，消费者和企业都将继续关注此案的进展，希望能看到更加公平的市场环境。**存储三巨头合谋制造“内存末日”！三星、SK海力士、美光被告了** ，最近一个令人瞠目结舌的消息传出，三星、SK海力士和美光这三家存储行业的“大佬”被美国联邦法院提起集体诉讼，控告他们操纵DRAM（双极管DRAM）价格，竟然还“造谣传播”所谓的“内存末日”，这波操作，简直是吃瓜不打烊，真是一波大波介事啊！ ，### 暗藏危机的HBM转型 ，这波操控的核心在于HBM（High Bandwidth Memory）技术，HBM芯片比传统的DDR芯片大一倍，物理尺寸也翻番，生产一颗HBM芯片就需要消耗两倍的晶圆面积，这意味着，如果三家公司真的想让传统DRAM产能减少，他们完全可以通过“HBM转型”来实现。 ，2026年，HBM预计将占全球DRAM晶圆产能的25%，而HBM的需求却在每年以70%的速度增长，尽管全球DRAM晶圆总产能2026年预计增长14%，但传统DRAM的产能却仅增长10%，这简直是“剪刀差”操作，直接导致了消费级内存的供应缺口。 ，### 价格操纵的老本行 ，更令人不甘心的是，这三家公司并没有真心想解决供应问题，而是通过协同减产来人为制造供应短缺，他们本可以通过扩产传统DRAM来填补缺口，结果却选择将产能集中转向利润更高的HBM。 ，这波操作就像是在暗中操控市场，三巨头像精灵一样在背后勾兑，结果DRAM价格在过去四年中上涨了近700%，苹果近期全面上调iPad和Mac售价，直接将内存价格传导给消费者，这也被诉讼列为触发事件。 ，### 历史上的重案 ，更有趣的是，这不是三家公司第一次被起诉操纵DRAM价格，2005年，三星就曾因DRAM价格操纵向美国司法部认罪，被处以3亿美元刑事罚款，这是美国反垄断史上第二大罚款，同年，SK海力士也认罪并被罚1.85亿美元，加上美光的罚款，整起案件总罚金达到7.31亿美元，多名高管还被判处入狱。 ，### 吃瓜不打烊，市场造谣 ，原告指出，这三家公司当年就曾通过协调产量和报价来操纵市场，今朝只是将同样的手法换成了“HBM转型”的新包装，这种操作简直是“吃瓜不打烊”，三巨头们对市场造谣的能力可真不容小觑。 ，### 调侃与结语 ，这场诉讼不仅揭露了三家公司的操纵行为，更让人看到了存储行业的黑暗面，对于消费者来说，这波操作简直是“内存末日”，价格翻倍，产品供应紧缺，想买内存的弟弟们可真是“血本无赖”了。 ，这场诉讼能否改变存储市场的供需格局，还有待观察，但无论如何，这三家公司的“内存末日”造谣行为，终究会被法律给予应有的制裁，希望这次的“吃瓜”能让消费者们觉醒，避免再被这三家“大佬”操控在内存价格的泥潭中徘徊。
据报道，三星、SK海力士和美光6月25日在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼，被控合谋操纵DRAM价格，制造了所谓的“内存末日”。
原告约翰·特里诺代表近年来购买含传统DRAM产品的消费者和企业提起诉讼，指控三家公司利用在全球DRAM市场的主导地位，以向HBM转型为借口，协同削减DDR3和DDR4等传统内存的产量，人为制造供应短缺。
诉讼的核心逻辑在于HBM对传统DRAM产能的挤压效应，HBM内存芯片在物理尺寸上远大于标准DDR芯片，单颗HBM3E DRAM芯片的面积约为DDR芯片的两倍，这意味着每生产一颗HBM芯片就要消耗两倍的晶圆面积。
2026年HBM预计将占全球DRAM晶圆产能的约25%，而HBM需求正以每年约70%的速度增长。尽管全球DRAM晶圆总产能2026年预计增长14%，但分配给传统DRAM的产能仅增长10%，这一剪刀差直接导致了消费级内存的供应缺口。
诉讼认为，三巨头本可以同步扩产传统DRAM来填补缺口，却选择将产能集中转向利润更高的HBM，形成事实上的协同减产。
这一协调行动的直接后果是DRAM价格在过去四年中上涨约700%，苹果近期全面上调iPad和Mac售价就是价格传导的典型案例，也被诉讼列为触发事件。
诉讼还援引了三家公司此前的不光彩记录，2005年，三星就DRAM价格操纵指控向美国司法部认罪，被处以3亿美元刑事罚款，这是美国反垄断史上第二大罚款。
同年SK海力士也认罪并被罚1.85亿美元，加上尔必达的罚款，整起案件总罚金达到7.31亿美元，多名高管被判处入狱。
原告认为，三家公司当年就曾通过协调产量和报价来操纵市场，如今只是将同样的手法换成了“HBM转型”的新包装。
在可预见的未来，HBM对传统DRAM产能的吞噬仍将持续，三巨头在HBM领域的寡头地位也让它们有能力继续主导产能分配节奏，这场诉讼能否改变存储市场的供需格局仍有待观察。
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